Vorteile/Nachteile

Vorteile von  Speicherkarten

Der große Vorteil von Flash-Speichern besteht darin, dass Daten auch noch erhalten werden, wenn die Spannung bzw. der Strom ausbleibt. Auf Grund dieser Tatsache nennt man diese Speicherkarten auch nonvolatile (nichtflüchtige) Speicher.
In der Regel benötigen die Speichermedien sowohl beim Lesen, als auch beim Schreiben relativ wenig Energie; im Ruhemodus, wie schon angesprochen, trotz Datenerhalt, sogar gar keinen Strom.
Preislich sind Speicherkarten größtenteils günstiger in der Herstellung sowie für die Konsumenten von Massenspeichern.
Der Auslese-Prozess unterscheidet sich (bei NOR-Mechanismen) in der Funktion nicht von RAM-Bausteinen (Zwischenspeichern).
Im Gegensatz zu den meisten Festplatten, können Erschütterungen und magnetische Wirkungen den Flash-Speichern nichts anhaben, was auf Grund ihrer Technik (siehe Technik/Funktionsweise) zu erklären ist.
Praktischer Weise sind die Karten sehr kompakt und somit auch portabel und mobil dank der kleinen Bauform und Gewicht. Viele sind auch froh darum, dass die Massenspeicher keinen Laut von sich geben und geräuschlosen Gebrauch versprechen.
Auch wenn die meisten Karten-Typen auf lediglich 128 GB Kapazität beschränkt sind, ist es problemlos möglich, mehrere parallel einzusetzen bei weiterhin weniger Platzbedarf, Energieverbrauch und einem geringeren Lärmpegel.

 

Nachteile von Flash-Speicher-Medien

Verglichen mit Random Access Memories (RAM) sind Flash-Speicher vor allem bei Schreibvorgängen wesentlich langsamer.
Bei Löschvorgängen ist meist keine präzise Bereinigung möglich. Stattdessen erfolgt die Entfernung gesamter Sektoren auf einmal.
Viele Karten-Typen unterscheiden sich nicht nur in Geschwindigkeit und Kapazität, sondern benötigen unterschiedliche komplexe Kommunikation und eigene Befehle zur Ansteuerung beim Lesen und Schreiben. Dieses Problem wurde jedoch in den meisten Fällen dadurch gelöst, dass eigene Schnittstellen und Controller(-Informationen) auf Karten mitgeliefert werden.
Speicherkarten können und werden altern, da die Anzahl der Zyklen bzw. die möglichen Schreibvorgänge nicht unbegrenzt häufig möglich sind. Deshalb sind Grenzen und Richtwerte für die verschiedenen Karten herstellerabhängig oft angegeben, wobei sich Fehler und Anzeichen von Unzuverlässigkeit auch schon vor Erreichen der Grenzwerte bemerkbar machen können. Jedoch verfügen viele Geräte auch über Korrekturverfahren, sodass durch automatische "Pflege" und Sorgfalt, ähnlich wie bei Defragmentierungen, Mängeln vorgebeugt wird.
 

Technik/Funktionsweise

Das Prinzip des sogenannten Metall-Oxid-Feldeffekttransistors, kurz MOSFET und dessen MOS-Struktur liegt in der Entstehung eines Kanals unter dem Gate, der in der Lage ist, zu leiten, wodurch eine leitende Verbindung zwischen den beiden Anschlüssen Drain und Source zu Stande kommt.

 

 

mosfet Prinzip
 

 

Metall-Oxid-Feldeffekttransistoren gibt es in verschiedenen Varianten, wobei hier der grafisch einfach dargestellte n-Kanal beschrieben wird. Bei diesem MOSFET ist das Grundmaterial (Bulk/Substrat) ein schwacher p-dotierter Kristall (Siliziumein). In dem Substrat werden zwei stark Gebiete, die n-dotiert sind, eingelassen. Diese erzeugen den Sourceanschluss und Drainanschluss. Es befindet sich zudem zwischen den zwei Gebieten auch weiterhin das Substrat. Dadurch kommt es zu einer sogenannten npn-Struktur. Generell verhindert diese einen Stromfluss. Oberhalb dieses Zwischenraums befindet sich jedoch noch eine äußerst dünne, widerstandsfähige Isolierschicht, wofür sich Siliziumdioxid eignet. Eine leitende Schicht dient als Anschluss für den Transistor-Gate. Diese wiederum wird auf dem angesprochenen Isolierstoff über dem zukünftigen Kanal aufgetragen. Während man früher Aluminium hierfür verwendete, bevorzugt man heute n+/p+ dotiertes Polysilizium, sogenanntes entartetes Polysilizium. Bei dem beschriebenen Aufbau besteht ein Kondensator aus Gate-, Bulk-Anschluss und der Isolierschicht. Legt man eine Spannung bei Gate und Bulk an, so wird der Kondensator geladen. Es entsteht ein Feld elektrischer Art, wodurch im Substrat Elektronen (Minoritätsträger) an die Grenzschicht wandern. Dadurch rekombinieren sie sich mit den Löchern (Majoritätsträger). Es kommt nun zur sogenannten Verarmung, bzw. die Majoritätsträger werden verdrängt. Bei geeigneter Spannung führt dieser Effekt zur Ansammlung von Minoritätsträgern wodurch das Substrat in der Nähe der Isolierschicht n-leitend wird. "Inversion" nennt man diesen Effekt. Es entsteht also ein dünner Kanal, der in der Lage ist, n zu leiten. Dieser führt zu einer Verbindung der n-Gebiete (Source und Drain), wodurch Ladungsträger fast ohne Störung von Source nach Drain fließen. Der Unterschied zwischen den beiden Anschlüssen (Source und Drain) liegt im meist unsymmetrischen Aufbau, sodass ein günstiges Verhalten erzielt wird. In der Regel wird Bulk im inneren Bereich mit Source verbunden. Es kommt zu einem Potentialunterschied zwischen Source und auf der anderen Seite Bulk, was Transistoreigenschaften und deren negative Beeinflussung, den sogenannten Body-Effekt erklärt. Auch wenn das für die Funktionsweise keinen Einfluss hat, entsteht dadurch eine weitere Diode zwischen Source- und Drainanschluss, welche parallel zum eigentlichen Transistor liegt. 

Einsatz/Verwendung

Derzeit werden Speicherkarten beziehungsweise Flashspeicher in der Regel in Digitalkameras Mobiltelefonen/Handy-Geräten, Multimedia-Geräten, Video-/MP3-Playern, PocketPCs, PDAs und vielen weiteren mobilen Geräten eingesetzt und als portabler Datenträger verwendet.